Создание таких модулей-монстров стало возможным благодаря наработкам Samsung в области многослойных технологий; в частности, в новых модулях используется вертикальная компоновка из нескольких кристаллов DRAM, соединённых при помощи технологии TSV (Through Silicon Via). Похожие технологии Samsung применяла и ранее, при создании модулей DDR3 RDIMM ёмкостью 32 Гбайт. Они сложны в реализации, но позволяют упростить упаковку и сделать многослойные чипы более надёжными.
В новых модулях использованы кристаллы ёмкостью 8 Гбит, они способны работать на частоте 2 400 МГц. В течение ближайших нескольких недель Samsung Electronics планирует также начать производство модулей LRDIMM аналогичной ёмкости. Столь ёмкие модули позволят сравнительно безболезненно нарастить объём оперативной памяти серверных систем, для которых этот параметр критичен. В дальнейшем компания намеревается выпустить и более высокочастотные версии модулей, с частотой вплоть до 3 200 МГц. Она также ведёт работы по созданию модулей памяти на базе технологии HBM.