Toshiba освоила производство 15-нм флэш-памяти

Компания Toshiba объявила, что готова начать выпуск флэш-памяти типа MLC NAND плотностью 128 Гбит, которая выполнена по 15-нм техпроцессу. Производитель сообщает, что скорость записи новых микросхем совпадает с 19-нм чипами, а скорость чтения выросла в 1,3 раза, достигнув 533 Мбит/с.

Серийное производство микросхем начнется уже в конце апреля на заводе Fab 5 в Йоккаити (Япония). В июне Toshiba рассчитывает наладить выпуск 15-нм памяти типа TLC NAND. Кроме того, компания намерена предложить контроллеры для встраиваемой NAND-памяти для твердотельных накопителей, смартфонов и планшетов.