Накопители доступны в модификациях объемом 128, 256, 512 ГБ и 1 ТБ. В основе устройств лежит 19-нм флэш-память типа NAND MLC и контроллеры SMI. Максимальная скорость чтения равна 560 МБ/с, скорость записи — 450 МБ/с. Производительность при операциях чтения и записи 4К-блоками с произвольным доступом составляет 73 000 и 72 000 IOPS соответственно. Также сообщается о поддержке технологии коррекции ошибок BCH ECC и энергопотреблении 80 мВт.